מספר מוצר של יצרן:
TSM80N950CI C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM80N950CI C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 25W (Tc) Through Hole ITO-220AB
מלאי:
12897545
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM80N950CI C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
800 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
950mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19.6 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
691 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
TSM80
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM80N950CIC0G
TSM80N950CI C0G-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TSM80N950CI
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
TSM80N950CI-DG
מחיר ליחידה
2.88
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM8N70CI C0G
MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
TSM4NB60CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO252
TSM2301CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
